第三代半导体

推荐成本降低26%!SiC激光剥离技术再迎新进展

中国粉体网讯 碳化硅(SiC)材料及其器件因其优异的高温、高频、高耐压、高功率和抗辐射性能,在新能源汽车、光伏、轨道交通和智能电网等领域前景广阔。然而,其规模化应用受制于较高的成本,其中SiC衬底成本占比高达50%。深入分析[更多]

资讯 第三代半导体碳化硅加工SiC激光剥离新技术晶片切割深圳平湖实验室
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