第三代半导体

推荐碳化硅长晶“黑匣子”揭秘:如何从47%的成本中抠出利润?

中国粉体网讯 在碳化硅产业链中,由于衬底占器件总成本的47%,因此降低晶体缺陷,提升晶体生长良率是助推碳化硅实现大规模产业化应用的主要途径。制备碳化硅单晶的主流方法是物理气相传输法(PVT),结构主要由石英管腔体、发热体(感[更多]

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