碳化硅长晶

推荐碳化硅长晶“黑匣子”揭秘：如何从47%的成本中抠出利润？

中国粉体网讯 在碳化硅产业链中，由于衬底占器件总成本的47%，因此降低晶体缺陷，提升晶体生长良率是助推碳化硅实现大规模产业化应用的主要途径。制备碳化硅单晶的主流方法是物理气相传输法（PVT），结构主要由石英管腔体、发热体（感[更多]