在第三代半导体碳化硅(SiC)的量产战场上,涂层工艺的 1% 性能提升,能让器件良率飙升 8%,单炉次成本直降 3 万元!从外延生长到刻蚀工艺,每一道涂层工序都是决定产品成败的关键防线。2025年8月20-21日在江苏[更多]
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