碳化硅衬底

推荐又一国内企业实现8英寸SiC关键技术突破

中国粉体网讯 4月9日，世纪金芯宣布他们实现了8英寸SiC关键技术突破！世纪金芯在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2024年2月，世纪金芯半导体8英寸SiC加工线正式贯通并进入小[更多]

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