碳化硅切割技术

推荐SiC单晶片切不好，后面都“白扯”

中国粉体网讯 在碳化硅产业链中，由于衬底占器件总成本的47%，因此降低晶体缺陷，提升衬底良率是助推实现碳化硅大规模产业化应用的主要途径，良率提升重点在于晶体生长与切割环节。目前行业内主要以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉[更多]