碳化硅长晶技术

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中国粉体网讯 目前，主流的碳化硅长晶技术主要包括物理气相沉积法（PVT）、液相生长法（LPE）、高温化学气相沉积法（HTCVD）。物理气相沉积法（PVT）PVT法生长SiC单晶涉及许多复杂的过程，其工作原理是通过感应线圈将坩[更多]