碳化硅单晶

推荐SiC单晶片切不好，后面都“白扯”

中国粉体网讯 在碳化硅产业链中，由于衬底占器件总成本的47%，因此降低晶体缺陷，提升衬底良率是助推实现碳化硅大规模产业化应用的主要途径，良率提升重点在于晶体生长与切割环节。目前行业内主要以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉[更多]

资讯 第三代半导体碳化硅单晶碳化硅切割技术线锯切割激光切割
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