中国粉体网讯 当前碳化硅单晶的制备方法主要有:物理气相传输法(PVT)、顶部籽晶溶液生长法(TSSG)、高温化学气相沉积法(HT-CVD)。其中,PVT法具有设备简单,操作容易控制,设备价格以及运行成本低等优点,成为工业生产[更多]
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