碳化硅晶体生长

推荐高品质碳化硅单晶制备需要注意哪几点?

中国粉体网讯 当前碳化硅单晶的制备方法主要有:物理气相传输法(PVT)、顶部籽晶溶液生长法(TSSG)、高温化学气相沉积法(HT-CVD)。其中,PVT法具有设备简单,操作容易控制,设备价格以及运行成本低等优点,成为工业生产[更多]

资讯 碳化硅单晶第三代半导体PVT法碳化硅晶体生长碳化硅长晶技术
|
中国粉体网
348 点击348
+ 加载更多