中国粉体网讯 随着半导体技术的快速发展,下一代功率与射频器件对材料性能和加工精度提出了更高要求。氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)和金刚石作为宽禁带半导体材料,因其卓越的物理化学特性,成为推动功率与射频器件性能突破的关键[更多]
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