SiC外延缺陷

推荐新突破！SiC外延片迈向无缺陷

中国粉体网讯 近日，新加坡A-STAR微电子研究所和法国SOITEC发表了一篇文章，题为《SiC外延片迈向无缺陷》。我们经常说的SiC外延，指的是SiC材料的衬底上生长一层具有特定晶体取向的SiC单晶薄膜的过程。其可以制造各[更多]