SiC衬底

推荐SiC迈进12英寸！三家企业正布局

中国粉体网讯 碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，其晶圆尺寸的演进一直是产业降本增效的关键路径。当前产业动态呈现出“6英寸主流、8英寸过渡、12英寸突破”的阶梯式发展格局，技术迭代速度远超预期。浙江晶瑞：实现12英寸[更多]

资讯 第三代半导体SiC单晶SiC衬底SiC长晶设备12英寸碳化硅
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