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SiC高温退火设备
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技术指标/Technical Indicators：
晶片尺寸: 4/6英寸 Wafer size: 4/6 inches | 工作温度范围: 800-2000°C Perating temperature range: 800-2000°C |
装片量: 50/80片 Loading capacity: 50/80 tablets |
应用范围/Scope：
♦ 用于SiC基半导体材料的离子激活和退火处理
lon activation and annealing treatment for SiC-based semiconductor materials
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