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氮化镓（GaN）HVPE单晶生长设备 立式品牌
山东力冠产地
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氮化镓（GaN）HVPE单晶生长设备 立式
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产品特点/Product Characteristics：
♦ 基础工艺包
Basic process package
1.氮化镓(GaN)单晶生长尺寸: 2英寸
Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches
2.单晶生长速率:≥50微米/小时
Single crystal growth rate:≥50 microns/hour
3.蓝宝石衬底外延生长氮化镓(GaN)单晶层厚度: < 200微米
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