中国粉体网讯 在针对需要高速开关能力的应用场景设计的高性能电子器件中,采用碳化硅(SiC)材料制造的晶圆表面,其理想状态应达到原子级别的平滑度,同时确保无任何亚表面损伤。然而,单晶SiC因其卓越的硬度、显著的脆性特性以及化学[更多]
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