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高分子薄膜微观缺陷观察用飞纳场发射电镜
高分子薄膜微观缺陷观察用飞纳场发射电镜

参考价格

面议

型号

飞纳场发射电镜Phenom Pharos G2

品牌

产地

荷兰

样本

暂无
复纳科学仪器(上海)有限公司

金牌会员

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第9年

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核心参数
  • 探测器:

    背散射探测器、二次电子探测器
  • 加速电压:

    1 kV - 20 kV 连续可调
  • 电子枪:

    肖特基热场发射电子枪
  • 电子光学放大:

    2,000,000 X
  • 光学放大:

    27 - 160 X
  • 分辨率:

    优于 1.5 nm
标签:

复纳科技扫描电镜

复纳科技飞纳场发射电镜Phenom Pharos G2

国产扫描电镜

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Phenom Pharos G2 高分子薄膜微观缺陷观察用

Phenom Pharos G2 是飞纳推出的台式场发射扫描电镜,可用于高分子薄膜微观缺陷观察,帮助分析孔洞、颗粒、断面和表面结构。

Phenom Pharos G2 采用肖特基热场发射电子枪,电子光学放大倍数可达 2,000,000 X,分辨率优于 1.5 nm,适合对高分辨形貌、精细结构和微纳尺度特征有要求的研发与检测场景。

该产品具备台式化设计、低/中/高三种真空模式、背散射探测器、二次电子探测器,并可根据需求选配能谱探测器。具体配置和价格根据样品类型、成像需求及功能配置确定,可通过平台询价/留言入口获取官方选型建议,并预约试样。

技术规格

电子光学系统


参数指标
电子枪肖特基热场发射电子枪
光学放大倍率27–160 X
电子光学放大倍率2,000,000 X
分辨能力优于 1.5 nm
加速电压调节范围1 kV–20 kV 连续可调

真空与探测


参数指标
真空环境低 / 中 / 高 三档
标准探测单元背散射探测器、二次电子探测器
扩展探测单元能谱探测器

功能特性

  1. 搭载肖特基热场发射电子枪,满足高分辨 SEM 成像需求

  2. 电子光学放大倍率上限 2,000,000 X

  3. 分辨能力优于 1.5 nm,可应对微纳级结构表征

  4. 加速电压 1 kV–20 kV 无级可调,适配不同样品荷电控制需求

  5. 三档真空环境切换,兼容导电及非导电高分子材质

  6. 背散射探测器与二次电子探测器为出厂标配;能谱探测器按需增配

  7. 台式结构,科研、研发及检测类实验室常规工位即可部署

  8. 提供选型咨询服务,支持试样预约


适用材质

  • 高分子薄膜

  • 塑料及塑料制品

  • 包装材料

  • 其他聚合物材质


典型用途

  • 高分子薄膜微观瑕疵识别(孔洞、颗粒等)

  • 塑料材质断面组织观测

  • 包装材料表面结构检视

  • 聚合物研发阶段表征

  • 来料及成品质量管控


常见疑问

Q1:该设备适用于哪些场景?A:纳米材质、半导体、碳基材料、催化材料、陶瓷、锂电材料、光伏材料及高分子薄膜等领域的高分辨形貌表征。

Q2:能否实现成分判定?A:可按需扩展能谱探测器,对微区颗粒、外来异物或特定位置的元素组成进行分析。

Q3:设备报价如何确定?A:*终价格与主机配置、探测单元选型及具体应用需求挂钩。可通过平台询价通道提交需求,获取针对性选型建议并安排试样。


咨询通道

如需了解高分子薄膜微观缺陷观察用 Phenom Pharos G2 在高分子薄膜微观缺陷表征方向的详细配置、应用资料或商务报价,可通过粉体网平台询价/留言入口提交样品类型与测试需求,获取官方选型建议并预约试样。


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