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厦门毅睿科技定制-TALD
国产半导体行业专用仪器
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热原子层沉积系统（钙钛矿专用）
衬底尺寸和类型
300*400mm基底
3D复杂表面衬底;多孔，通孔，高深宽比(HAR)样品
前驱体管路
4根源管线，*多加载6个前驱体源
4根气管线，*多加载6个气体管路
含O;为氧源，提供臭氧发生器(选配)
工艺温度
室温 至**300°C
基片加载
气动升降，抽拉式装载
沉积材料
SnO3, NiO, TiO2, Ga2O3, Ta2O5, HfO2
大面积一致沉积｜覆盖 300 × 400 mm 基片
精准温控系统｜室温至 300 °C范围，温度均匀性 ≤±1 °C
面向钙钛矿电池应用｜兼容界面层、传输层与封装层等沉积
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