等离子体增强化学气相沉积PECVD

一、设备简介

    本 PECVD 设备面向半导体、光电器件及功能薄膜制备需求开发，采用等离子体增强化学气相沉积技术，可在较低温度条件下实现高质量薄膜沉积。设备兼顾薄膜均匀性、工艺重复性与运行稳定性，适用于科研开发、中试验证及小批量工艺应用。系统采用真空模组、工艺模组与控制模组一体化设计，具备完善的安全联锁与自动化控制功能，并预留后续扩展接口，可根据客户需求加装 OES 在线监测模组及其他功能单元。

二、设备组成

    PECVD 主系统：实现薄膜沉积工艺，满足硅基及功能薄膜制备需求

    控制模组：实现设备运行控制、状态监测、数据记录及报警管理

    真空系统：完成腔体抽气、工艺压力维持及真空环境建立

    气路系统：实现多路工艺气体精密输送与比例控制

    [选配] 在线监测模组（OES）：用于等离子体状态或工艺过程监测

三、主要技术规格

    设备类型：等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）

    适用基板：标准 8 英寸硅晶圆，可扩展兼容 2-6 英寸基板

    进料方式：人工置片，一次一片

    腔体形式：单腔体结构

    腔体材质：铝合金 / 真空级金属结构

    电极结构：Showerhead 气体分散与电极一体化设计

    观察视窗：配置工艺观察窗口