中国粉体网讯碳化硅作为第三代半导体材料,具有自己独特的性能。SiC的禁带宽度较大,同时具有热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中拥有独特的应[更多]
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