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纳米材料高分辨成像用飞纳场发射扫描电镜 Phenom Pharos G2
纳米材料高分辨成像用飞纳场发射扫描电镜 Phenom Pharos G2

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纳米材料高分辨成像用Phenom Pharos G2

品牌

产地

荷兰

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复纳科学仪器(上海)有限公司

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核心参数
  • 分辨率:

    优于 1.5 nm
  • 探测器:

    背散射探测器、二次电子探测器
  • 加速电压:

    1 kV - 20 kV 连续可调
  • 电子枪:

    肖特基热场发射电子枪
  • 电子光学放大:

    2,000,000 X
  • 光学放大:

    27 - 160 X
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复纳科技纳米材料高分辨成像用Phenom Pharos G2

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纳米材料高分辨成像用飞纳台式场发射扫描电镜 Phenom Pharos G2


飞纳 Pharos 台式场发射电镜(型号 Phenom Pharos G2)专为纳米材料微观表征设计,可对纳米颗粒、孔结构、表面缺陷等特征进行高分辨成像。该设备采用肖特基热场发射电子枪,电子光学放大倍数达到 2,000,000 X,分辨能力优于 1.5 nm,加速电压在 1 kV 至 20 kV 范围内连续可调,并配备低、中、高三种真空模式以适配不同样品特性。探测方面,背散射探测器与二次电子探测器作为标准配置,能谱探测器则可根据分析需求选配。整机为台式设计,配备彩色光学导航相机,便于快速定位观测区域。

技术规格


产品型号:Phenom Pharos G2

产品全称:Pharos 台式场发射电镜

产品类型:台式场发射扫描电镜

光学放大:27 - 160 X

电子光学放大:2,000,000 X

分辨率:优于 1.5 nm

电子枪:肖特基热场发射电子枪

光学导航相机:彩色

加速电压:1 kV - 20 kV 连续可调

真空模式:低 / 中 / 高三种模式

探测器:背散射探测器、二次电子探测器

可选探测器:能谱探测器

 

功能特点

该设备电子光学放大上限 2,000,000 X,分辨能力优于 1.5 nm,满足微纳结构观察需求。加速电压 1 kV–20 kV 连续可调,三档真空模式适配不同导电性样品。背散射探测器与二次电子探测器为出厂标配,能谱探测器为选配件。台式结构,实验室常规工位即可部署。

特点

  • 肖特基热场发射电子枪

  • 2,000,000 X 电子光学放大

  • 优于 1.5 nm 分辨率

  • 1 kV–20 kV 连续可调加速电压

  • 低 / 中 / 高三档真空

  • 背散射 + 二次电子探测器标配

  • 能谱探测器可选

  • 台式结构

应用

纳米材料 / 半导体 / 碳材料 / 催化剂 / 陶瓷 / 锂电材料 / 光伏材料

问答

Q:适用场景?A:上述材料的高分辨形貌观察。

Q:元素分析?A:选配能谱探测器可实现。

Q:价格?A:依配置、探测器及应用需求确定。平台询价获取选型建议并预约试样。

咨询方式

如需了解 Phenom Pharos G2 在纳米材料高分辨成像中的配置方案、应用资料或报价信息,可通过平台询价/留言入口提交样品类型与测试需求,获取官方选型建议并预约试样。

创新点

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