参考价格
面议型号
4H-6-SiC品牌
产地
武汉样本
暂无纯度：
-目数：
-碳化硅粉
4H-6-SiC
国产碳化硅粉
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| 参数名称 | P级 | R级 | D级 |
| 晶型 | 4H | ||
| 晶向 | 向<11-20>偏转4º± 0.5º | ||
| 主参考面长度 | 47.5±1.5mm | ||
| 电阻率 | 0.015~0.025ohm·cm | 0.011~0.028ohm·cm | |
| 直径 | 150 ± 0.25 mm | ||
| 厚度 | 350±25μm（可定制） | ||
| LTV | ≤ 2 μm | ≤ 5 μm | ≤10 μm |
| TTV | ≤ 3 μm | ≤ 8 μm | ≤ 15 μm |
| Bow | -15 μm - 15 μm | -25 μm - 25 μm | -45 μm - 45 μm |
| Warp | ≤ 20μm | ≤ 35μm | ≤ 55μm |
| 微管 | ≤ 0.2ea/cm2 | ≤ 0.5ea/cm2 | ≤ 1ea/cm2 |
| TSD | ≤ 300ea/cm2 | ≤ 500ea/cm2 | ≤ 3000ea/cm2 |
| BPD | ≤ 800ea/cm2 | ≤ 1500ea/cm2 | ≤ 5000ea/cm2 |
| TED | ≤ 3000ea/cm2 | ≤ 6000ea/cm2 | __ |
| 崩边/裂纹/六方空洞 | 无 | __ | |
| 多晶面积 | 无 | ＜5%总面积 | |
| 表面粗糙度 | Ra≤0.2nm(正面) Ra≤2nm(背面) | ||
| 边缘处理 | 倒角 | ||
| 划伤 | 累计长度小于半径 | 累计长度小于直径 | __ |
| 标记 | 激光编码 | ||
| 包装 | 单片/多片包装 | ||
硅来半导体（武汉）有限公司依托华中科技大学专业的激光切割技术，不断创新突破。凭借持续的技术积累以及专业的技术团队，能够为客户提供低成本、高性能的晶圆切割整体解决方案，全方位助力客户提升市场竞争力。
硅来半导体始终以 “自强不息” 为精神内核，在碳化硅半导体产业攻坚期坚守技术初心 —— 面对衬底制备、器件封装等 “卡脖子” 难题，团队以昼夜迭代的坚韧突破性能瓶颈；面对行业技术迭代的挑战，始终以主动研发的姿态升级核心能力，从不因阶段性量产成果停下创新脚步。
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