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4英寸导电型SiC衬底
4英寸导电型SiC衬底

参考价格

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型号

4HSiC

品牌

产地

武汉

样本

暂无
硅来半导体(武汉)有限公司

高级会员

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第1年

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标签:

碳化硅粉

4HSiC

国产碳化硅粉

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产品参数


参数名称P级R级D级
晶型4H
晶向向<11-20> 偏转4º± 0.5º
主参考面长度32.5±2.0mm
次参考面长度18.0±2.0mm
电阻率0.015~0.025ohm·cm
直径100 ± 0.25 mm
厚度350±25μm(可定制)
LTV≤ 2 μm≤ 5 μm≤8 μm
TTV≤ 3 μm≤ 5 μm≤ 10 μm
Bow-15 μm - 15 μm-25 μm - 25 μm-45 μm - 45 μm
Warp≤ 20μm≤ 35μm≤ 55μm
微管≤ 0.2ea/cm2≤ 0.5ea/cm2≤ 1ea/cm2
TSD≤ 500ea/cm2≤ 1000ea/cm2__
BPD≤ 1500ea/cm2≤ 3000ea/cm2__
崩边/裂纹/六方空洞
多晶面积__
表面粗糙度Ra≤0.2nm(正面)   Ra≤2nm(背面)
边缘处理倒角
划伤累计长度小于半径累计长度小于直径__
颗粒度≤60 (size≥ 0.3 μm)__
标记激光编码
包装单片/多片包装


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