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核心参数

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碳化硅粉

碳化硅籽晶衬底

国产碳化硅粉

碳化硅籽晶衬底的信息介绍

碳化硅籽晶衬底是制备碳化硅单晶的关键材料，用于PVT法生长单晶的模板，未抛光，可复用。具有高硬度（莫氏硬度约9.5）、高熔点（约2700℃）、宽带隙（2.3-3.3 eV），在高温、强酸/强碱环境下化学性质稳定等特性。

碳化硅籽晶衬底的特点优势

原子级平整表面

（Ra＜0.5nm）

晶型高度可控

（4H/6H-SiC为主）

大尺寸化

（6/8英寸）

减少外延生长缺陷，提升器件良率。

单一晶型（如4H-SiC）确保电子迁移率**，降低导通损耗。

6/8英寸量产，单位面积芯片成本降低30%以上。

碳化硅籽晶衬底的工艺应用

在单晶生长过程中，籽晶是实现高质量晶体生长的关键因素。引导气相中的 Si 和 C 原子按照预设方向逐层堆积，确保晶体沿单一晶向生长，从而控制晶体缺陷的产生。在物理气相传输（PVT）法生长碳化硅单晶时，将籽晶置于高温石墨坩埚顶部，底部的碳化硅粉料升华后，气态原子在温度梯度作用下向籽晶表面移动，在籽晶的引导下有序结晶，逐渐生长出碳化硅单晶，这一过程中碳化硅籽晶衬底的质量，决定了*终晶体的质量与性能。

碳化硅籽晶衬底的相关展示

碳化硅籽晶衬底的技术参数

8英寸N型碳化硅籽晶衬底-产品规格
属性	规格			单位
	A	B	C
直径	200±0.5			mm
厚度	500(-50,100)			μm
弯曲度	≤60	≤70	≤80	μm
总厚度偏差	≤6	≤12	≤15	μm
位错密度-TSD	≤250	≤350	无要求	/cm2
位错密度-TED	≤5500	≤6500	无要求	/cm2
电阻率	0.010-0.030			Ω .cm
表面粗糙度(C)	<0.2			nm
微管密度	≤0.15	≤0.2	≤0.5	/cm2
高强度光检测六边形	无
高强度光照多型性	无
高强度光多晶区域	无
荧光灯检测的边缘缺口	无

6英寸N型碳化硅籽晶衬底-产品规格
属性	规格			单位
	A	B	C
直径	152.2+0.25/153±0.25			mm
厚度	500(-50,100)			μm
弯曲度	≤55	≤65	≤80	μm
总厚度偏差	≤4	≤6	≤8	μm
位错密度-TSD	≤250	≤350	无要求	/cm2
位错密度-TED	≤5500	≤6500	无要求	/cm2
电阻率	0.010-0.030			Ω .cm
表面粗糙度(C)	<0.2			nm
微管密度	≤0.15	≤0.2	≤0.5	/cm2
高强度光检测六边形	无
高强度光照多型性	无
高强度光多晶区域	无
荧光灯检测的边缘缺口	无
高强度光检测的裂缝	无