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碳化硅衬底
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碳化硅（SiC）衬底是第三代半导体材料的核心基础。目前市场上主流的碳化硅衬底尺寸为6至8英寸。广泛应用于新能源、光伏、5G通信、人工智能、物联网等领域。具有高禁带宽度（≤ 3.2eV）、高热导率（4.9W/cm・K）、高击穿电场强（2~4 MV/cm）、高电子饱和漂移速度的特性。
高禁带宽度 | 高热导率 | 高击穿电场强 | 高电子饱和漂移速度 |
禁带宽度达≤ 3.2eV，在高温、高功率应用中优势明显。可提高能源转换效率、降低损耗。 | 热导率为 4.9W/cm・K，散热性能优异，能降低芯片温度、减少热失效风险、延长设备寿命。 | 高击穿电场强度约为 2~4 MV/cm，耐高压能力是硅的10倍，可减少设备体积重量、降低导通电阻、提高稳定性和可靠性。 | 适合高频应用，可减少信号传输延迟、提高速度和质量，与传统硅基射频器件相比，具有更低噪声系数和更高功率附加效率。 |
碳化硅衬底的制备工艺
粉料合成 → 晶体生长 （PVT法）→ 晶锭加工 → 晶圆切片 → 晶圆加工 → 碳化硅衬底
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