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碳化硅衬底1品牌
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-碳化硅粉
碳化硅衬底1
国产碳化硅粉
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碳化硅衬底清洗检测
经过研磨和抛光后的碳化硅衬底，表面虽然已经达到了很高的平整度，但仍然可能残留着一些有机污染物、金属污染物以及微小的颗粒。为了确保衬底的洁净，我们需要进行严格的清洗，确保外延或器件制造的表面质量，清洗后通过形貌、晶体缺陷、电学性能等多维度检测验证碳化硅衬底质量。
| 8英寸N型碳化硅衬底 - 产品规格 | ||||
| 属性 | 规格 | 单位 | ||
| P | R | D | ||
| 直径 | 200±0.5 | mm | ||
| 厚度 | 500/350(- 25,25) | μm | ||
| 表面偏离晶向 | 4°toward [11-20]±0.5° | |||
| 缺口方向 | Perpendicular to the [11-20]±5° | |||
| 边缘排除 | 3 | mm | ||
| 翘曲度 | ≤40 | ≤100 | μm | |
| 弯曲度 | ±25 | ±60 | ±80 | μm |
| 总厚度偏差 | ≤10 | ≤15 | um | |
| 位错密度-EPD | ≤7000 | ≤12000 | 无要求 | /cm2 |
| 位错密度-TSD | ≤500 | ≤1000 | /cm2 | |
| 位错密度-BPD | ≤1300 | ≤2000 | /cm2 | |
| 微管密度 | ≤1 | ≤5 | /cm2 | |
| 高强度光照多型性 | 4H 100% | 4H 95% | % area | |
| 电阻率 | 0.015-0.028 | Ω .cm | ||
| 表面粗糙度（Si） | <0.2 | nm | ||
| 表面粗糙度（C） | <2 | nm | ||
| 高强度光刻板 | 无 | ≤5ea, Edge 3mm inside, a single size <0.3mm | nm | |
残留金属污染 (Al,Cr, Fe, Ni, Cu, K, Ti &Mn) | <5E10 | <1E11 | atoms/cm2 | |
| 封装 | 多晶圆盒/单晶圆盒 | |||
| 6英寸N型碳化硅衬底 - 产品规格 | ||||||
| 属性 | 规格 | 单位 | ||||
| Z | P | R | D | mm | ||
| 直径 | 150±0.25 | μm | ||||
| 厚度 | 350(-25,25) | |||||
| 表面偏离晶向 | 4.0°towards [11-20]±0.5° | |||||
| 缺口方向 | Perpendicular to the [11-20]±5° | mm | ||||
| 主平面长度 | 47.5 ± 1.5 | mm | ||||
| 边缘排除 | 3 | μm | ||||
| 翘曲度 | ≤25 | ≤35 | ≤45 | ≤60 | μm | |
| 弯曲度 | ±10 | ±15 | ±25 | ±40 | μm | |
| 总厚度偏差 | ≤5 | ≤8 | ≤10 | ≤15 | /cm2 | |
| 位错密度-EPD | ≤4000 | ≤6000 | ≤8000 | ≤ 12000 | 无要求 | /cm2 |
| 位错密度-TSD | ≤200 | ≤300 | ≤500 | ≤800 | /cm2 | |
| 位错密度-BPD | ≤800 | ≤1000 | ≤1500 | ≤2000 | /cm2 | |
| 微管密度 | ≤0.2 | ≤0.2 | ≤0.5 | ≤0.1 | % area | |
高强度光照多型性 | 4H 100% | 4H 98% | 4H 97% | % area | ||
高强度光检测六边形 | 无 | ≤1% | ≤3% | Ω .cm | ||
| 电阻率 | 0.015-0.025 | 0.015-0.028 | 0.010-0.030 | nm | ||
| 表面粗糙度（Si） | <0.2 | nm | ||||
| 表面粗糙度（Si） | <1 | <2 | ||||
| 高强度光检测的裂缝 | 无 | |||||
高强度光检测的硅表面划痕 | 无 | ≤3ea, each ≤10mm | mm | |||
累计划痕长度 (By 8520) | ≤75 | ≤100 | ≤150 | 无要求 | ||
| 边缘缺口 | 无 | |||||
| 边缘轮廓 | SEMI M55-0817 | |||||
| 高强度光检测的污渍 | 无 | |||||
残留金属污染 (Al,Cr, Fe, Ni, Cu, K, Ti &Mn) | < 5E10 | <1E11 | ||||
| 封装 | 多晶圆盒/单晶圆盒 | |||||
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