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| 加工晶棒直径 | 4~8英寸 |
| 加工晶棒长度 | ≤500mm |
| 椭圆度 | ±0.01mm |
| 圆锥度 | ±0.015mm |
| 表面粗糙度 | ≤1μm |
| OF宽度头尾偏差 | ±0.1mm |
| 晶向精度 | ≤±10' |
| V-NOTCH深度 | 1.00~1.25mm |
| V-NOTCH角度 | 89°~93° |
| 工作台*小进给量 | 0.005mm |
| 磨架*小进给量 | 0.001mm |
| 直径精度 | ±0.02mm |
| 工作台往复速度 | 4-800mm/min连续可调 |
| 设备外形尺寸 | 3620x1800x2000mm |
| 设备总功率 | 20kW |
| 设备自重 | 4.5t |
可满足4-8寸晶体加工
加工长度0-500mm
控制系统日本三菱
整机配备自动润滑系统
外圆滚磨
测晶向角度
磨OF面
刻V-Notch巢
光洁度Ra0.8-1.00
椭圆度0.02/500mm
圆锥度±0.05/500mm
径向精度±10'
硅
LT/LN
碳化硅
砷化镓/磷化铟
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