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自主**保护立体交叉结构（**号：202211541793.9），提高设备产出率WPH
采用自主**设计，优化整机内部气流分布，减少颗粒污染
精准控制涂胶量，减少光刻胶的消耗
具备多次回吸功能，能够有效防止喷嘴口结晶
腔体配备独立排气装置，能够提高光刻胶膜厚的均一性，减少Wet-Particle
配备自主研发的多分区控制的高精度热板
自主研发的控制软件，可优化晶圆传输路径，缩短传输时间
搭载缺陷检测功能，可及时发现问题
搭载机械手工位auto-teaching功能，提高效率
支持主流光刻机接口
可适用于300mm晶圆清洗
可配置4个Loadport，多至8个涂胶腔体和8个显影腔体
可拓展支持12个涂胶腔体及12个显影腔体，每小时晶圆产能可达300片；
腔体温度：23°C ±0.1°C ，烘烤范围为50°C至250°C
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