PMGI & LOR负光刻胶使能高产，广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶，在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化（＜0.25μM），以及非常厚（＞4μm）金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。

PMGI & LOR的特性：

1）高分辨，可用于 <0.25 μm Lift-off 工艺

2）undercut 结构可控，溶解速率易于调节

3）在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力

4）与 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻胶等兼容

5）良好的耐热稳定性

6）去胶容易，剥离干净

应用：金属电梯加工，桥制造，释放层

PMGI & LOR的属性

1）覆盖在成像抗蚀剂不会混杂

2）在TMAH双叠层一步发展，或KOH开发

3）高热稳定性：Tg ~190 C

4）快速清除和常规抗剥离干净

5）0.25μm微米双层抗蚀成像

6）产量高，可用于很厚（＞3μm）金属剥离处理

加工环境：

温度：20-25°± 1°C

湿度：35-45% ± 2%

相关溶液：

显影液：101 Developer

去胶剂：Remover PG

稀释液：G Thinner

一般储存温度：

4-27°C