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国产半导体行业专用仪器
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器简介:射频离子源:用于离子束沉积,离子束辅助沉积,MEMS
射频原子源:用于合成氧化物,氮化物,氢原子清洗
技术参数:
射频离子源
安装法兰口径:NW63CF,NW100CF
真空腔体内长度:290mm
真空腔体内端面直径:57mm, 96mm
兼容气体:O2, N2, H2, Ar
水冷
射频功率:30-600W
气体流量:8-10sccm
束流能量:0.1-1kev
电流密度:可大到5mA/cm2
射频原子源
安装法兰口径:NW35CF,NW63CF,NW100CF
真空腔体内长度:290mm
真空腔体内端面直径:34mm,57mm, 96mm
兼容气体:O2, N2, H2, CH4
水冷
射频功率:30-600W
气体流量:0.01-20sccm
主要特点:
无灯丝
安装容易,可方便地安装在已有系统上
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