分子轨道能级理论是半导体工学 (无机半导体，有机半导体，太阳能电池等) 研究的基础，正确认识并准确测量逸出功能量，是研究半导体器件的必要手段。

国-内-首-创、填-补国-内-空-白

逸出功能谱仪IPS产品特点：

使用新的电子能谱技术，可实现逸出功高重现性测量

▪ 测量范围宽、间隔小、重现高、速度快

▪ IPS 3 测量范围 3.4eV~7.5eV，IPS 4测量范围更

是达到 4.0eV~9.54eV。

▪ 测量间隔*小为0.01eV。

▪ 标准偏差（重现性）小于0.02-0.015eV。

▪ 测量时间短至5分钟（测量间隔0.05eV时）。

▪ 对样品损失小

▪ 照射在样品上的光斑小至1x2mm，减少了对样品的

损伤。

▪ 提供多种测量环境

▪ 设备提供了空气、氮气、真空等多种测量环境。各

种环境之间切换简单快速。

▪ 测量操作简单

▪ 测量过程全程软件自动化操作

▪ 操作简单，全程测量分两步—背景测量和样品测量。

优势：高性能、准确、快速、低成本!

IPS在研究领域有着广泛的应用，用于测量的案例包括：

?有机发光二极管（OLED）材料的功函数和电离势测量

?等离子显示面板（PDP）材料开发

?场发射显示（FED）材料开发

?含有钙钛矿有机金属卤化物的可见光敏化太阳能电池阈值能量测量

?通过锂离子电池正极材料的表面处理提高性能

?开发用于太阳能制氢的光催化剂阈值能量测量

?用于高效钙钛矿发光二极管的三重态管理

?ITO材料功函数与表面处理后经过的时间之间的关系

?清洗过程前后ITO材料功函数的差异

?有机光电导材料的态密度分析

?碳材料的电离电位测

逸出功能谱仪-实测案例