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扩散炉、低压化学气相沉积设备(LPCVD)
产地：韩国；
有单管和双管两个不同的型号，用于科研或者小规模生产。
性能和特点：
- 温度范围：500 ~ 1000摄氏度；
- 气体混合能力(带有质量流量计)；
- 真空范围：~ 10-6 Torr；
典型应用：
- 无应力氮化硅；
- LPCVD；
- 退火；
- 氧化；
- 其他...
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