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高真空磁控溅射镀膜设备JCP500 高真空磁控溅射镀膜设备JCPY500品牌
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泰科诺高真空磁控溅射镀膜设备JCP500 高真空磁控溅射镀膜设备JCPY500
国产半导体行业专用仪器
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设备型号 ：JCP500
真空腔室结构 ：立式前开门结构 后置抽气系统
真空腔室尺寸 ：Φ500mm×H420mm
加热温度 ：室温～ 500℃
基片台尺寸 ：Φ150mm
膜厚不均匀性 ：Φ100mm 范围内≤ ±5.0%
溅射靶： Φ3 英寸磁控靶 3 支 兼容 DC/MF/RF 溅射
工艺气体 ：2-3 路气体流量控制
控制方式 ：PLC/PC（可选）
占地面积 （主机） ： L1900mm×W800mm×H1900mm
总功率 ：≥ 10kW
大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备
1. 可提供工艺技术支持，及良好售后服务；
2. 设备结构紧凑，占地面积小，性价比高，性能稳定，使用维护成本低；
3. 单靶溅射 / 多靶依次溅射或共同溅射，兼容 DC/MF/RF 溅射等功能 。
4. 可制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀摸、透明导电膜，如钙钛矿空穴传输层、金属电极以及透明导电层ITO膜层的制备等”；
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真空腔体的核心工作原理是通过密闭空间抽除空气，形成低压真空环境，而腔体金属表面的微观特性，直接决定真空环境的稳定性。金属基材在机械加工、焊接成型后，表面会存在微观划痕、凹凸孔隙、残余应力，同时附着切削
热丝化学气相沉积（Hot Filament Chemical Vapor Deposition，简称 HFCVD）是一种重要的薄膜制备技术，通过高温热丝将反应气体分解成活性基团，在基底表面沉积形成薄膜
离子轰击靶材并非单一原子溅射过程，而是包含微观级联碰撞、粒子发射、表面改性、缺陷演化等一系列耦合物理现象的复杂过程。各类现象的强弱耦合关系直接决定薄膜的沉积速率、致密性、均匀性及力学性能。本文基于动量
很多人认为，偏压越高，离子打得越深，膜层就越致密。这个理解只对了一部分。以多弧PVD中的铬离子为例。当离子到达工件表面，它不会笔直地一头扎进某个深度，然后把所有能量一次性交出去。它先撞上膜层原子，把一
轻轻一刮就掉膜，边缘翘边像 “起皮的墙皮”；有的表面还布满密密麻麻的小斑点、雾影，明明工艺参数都调对了，成品率却低得离谱；你可能会怪工艺没控制好、基材没处理干净，但很少有人想到 ——问题的根源，可能出
一、先搞懂：三种泵的 “工作逻辑” 大不同（用比喻秒懂）就像给容器 “抽空气”，三种泵的 “干活方式” 天差地别，咱们用生活场景类比：1. 罗茨泵：像 “齿轮搬运工”，靠啮合挤压送空气核心结构是两个相
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