? 核心参数一览

参数类别 具体指标 典型值/规格

产品型号 TM-D 通用型

化学成分 Al₂O₃ 纯度 ≥ 99.99%

晶体结构 结晶形状 α-氧化铝

粒径 一次粒子径 0.10 μm

比表面积 BET 13.5 m²/g

密度 松装密度 0.8 g/cm³

振实密度 0.9 g/cm³

成形密度 2.2 g/cm³

烧结密度 ≥ 3.95 g/cm³

烧结特性 烧结温度 < 1300℃

相对密度 > 98% 理论密度

? 关键特性详解

低温烧结性：TM-D的核心优势是低温烧结，在低于1300℃下即可达到理论密度98%以上。相比传统氧化铝，烧结温度降低了150-200℃，能显著节能并缩短生产周期。

高纯度与低杂质：作为4N级（99.99%）高纯氧化铝，TM-D的金属杂质（如Na、Fe、Si等）含量极低（< 1ppm），放射性元素（U、Th）也控制在极低水平（< 5ppb）。

超细与单分散颗粒：其0.10μm的超细一次粒子实现了“单粒子化”，颗粒分布窄、团聚少，有助于形成均匀致密的微观结构。

出色的机械性能：基于其高纯度、超细颗粒和高度致密的微观结构，TM-D制成的陶瓷制品具备高强度、高硬度、优异的耐磨性和耐腐蚀性。

光学应用潜力：高纯度使得TM-D可通过热等静压（HIP）等工艺制成透明陶瓷，适用于光学窗口、激光介质等。

? 主要应用领域

高强度结构陶瓷：如切削工具、轴承、人工骨骼和牙齿等。

电子材料：如IC基板、传感器等。

光学材料：用于制造透明陶瓷、人造红宝石、YAG激光晶体等。

其他：精密研磨材料、合成尖晶石、催化剂载体等。