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面议型号
SV-i品牌
产地
江苏样本
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SV-i
国产半导体行业专用仪器
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产品编号
SV200_i
所属分类
半导体制造量检测产品方案
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晶圆内应力检测仪（SV系列）
优势
适用对象
150-225mm三代化合物晶圆、石英晶圆、蓝宝石晶圆等
适用领域
面向化合物晶圆籽晶筛选、长晶质量管控，晶圆加工工艺管控、晶圆成品质量管控等晶圆生产过程
测量原理
本系统基于偏振光应力双折射效应检测晶圆材料内部的残余应力分布。
当晶体材料由于长晶环境温度梯度和晶体内部缺陷导致产生晶体内应力时，晶体会呈现出应力双折射效应，偏振光透过它时会发生偏振态调制，通过测量透射光的斯托克斯矢量可以推算出材料的应力延迟量，从而测量出材料内应力分布。
获取晶圆内应力高分辨率图像，基于自动识别深度学习模型可以开展晶圆内部缺陷自动识别和计数。
SV200-i 技术规格
1. 内应力测量指标参数
| 序号 | 项目 | 参数 |
|---|---|---|
| 1 | 样品测量口径 | 150 - 225mm |
| 2 | 应力测量输出内容 | 相位延迟（°）、光学延迟（nm）、归一化延迟（nm/mm）、综合应力（MPa）及方位角 |
| 3 | 应力图像横向分辨率 | 25μm |
| 4 | 应力测量范围 | 0 - 150nm光学延迟 |
| 5 | 主应力方位角测量范围 | 0 - 180° |
| 6 | 测量准确性 | ±1nm光学延迟，±1.5°方位角 |
| 7 | 应力图像解析度 | 1600万像素（@6英寸晶圆） |
| 8 | 自动测量效率 | 60WPH（@6英寸晶圆） |
2. 微管扫描识别指标参数
| 序号 | 项目 | 参数 |
|---|---|---|
| 1 | 样品测量口径 | 150 - 225mm |
| 2 | 应力测量输出内容 | 相位延迟（°）、光学延迟（nm）、归一化延迟（nm/mm）、综合应力（MPa）及方位角 |
| 3 | 应力图像横向分辨率 | 25μm |
| 4 | 应力测量范围 | 0 - 150nm光学延迟 |
3. EFEM传输系统指标参数
| 名称 | 项目 | 参数 |
|---|---|---|
| 主体 | 适用晶圆尺寸 | 150 - 225mm |
| 适用料盒 | 150-225mm范围内的标准/非标Open Cassette | |
| 产能 | 60 - 100 WPH | |
| Aligner | Centering | ±0.1mm |
| Flat or notch orientation | ±0.1° | |
| Positioning time | 6s-7s | |
| Robot | 行程：Z | 250mm |
| 行程：T | 340° | |
| 行程：R | 500mm | |
| *小回转半径 | 300mm | |
| 重复定位精度：XYZ | ±0.1mm |
瑞霏光电全自动晶圆内应力检测仪将全口径延迟、应力方位角等分析整合进入一键测量，确保我们的客户能够快速确认工艺。
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