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设备特点
适合用于Low-k、氮化铝（AlN）、氧化铝陶瓷等材料的激光开槽
适合用于硅、砷化镓（GaAs）等材料，厚度200μm以下薄晶圆无崩边高品质全切
8/12英寸兼容，支持纳秒/皮秒
双路多beam并行加工
实现10-90µm开槽宽度连续可调
可加工20μm以内超窄切割道
整机精度：＜±2µm
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