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产品特性
产品概述
镓仁半导体可提供高质量氧化镓专用长晶设备
技术参数
晶体生长炉设备指标
**工作温度：1820℃；
高温工作气氛：大气环境（O2浓度 ≈ 21%）；
连续工作时长：≥100h ，确保完成一炉晶体生长；
晶体生长段温度梯度：≈10 ℃/cm；
晶体生长速度：0.2 ~ 4 mm/h。
高温工艺段控温精度：≤ ±0.2 ℃
全温度段控温精度：≤ ±0.3 ℃
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