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半导体材料能带测试，亚带隙测量系统
该系统采用恒定光电流法分析半导体薄膜和各种光导材料的带隙结构，是评价非晶硅和各种非晶半导体的理想方法。
规格：
原理:恒流法(CPM)
光源:氙灯或卤素灯
工作范围:约4小时，13 - 0.59 ev (300 - 2100 nm)
辐照面积:6 x6mm
辐照强度:2 nw-2mw
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