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美SD粒子碰撞噪声检测仪4511A、4511L、4511M4、4511M6

选型说明：

每种型号的颗粒碰撞噪声检测仪都包括 :控制器，振动台，传感器，灵敏度测试单元，软件，示波器，电缆，耗材，及相关文件.其型号选择主要根据被测件的重量和外型尺寸而定，我们的标准配置采用的是M230 振动台可测负载重量，全频率范围内为 400 克，换能器台面直径为22mm~150mm，换能器因在其中心区域50%面积处灵敏度**，故实际台面选择时换能器面积要略大于被测件**扁平面面积。

设备用途:

用于电子元器件封装后，对器件内多余粒子碰撞噪声检测试验，目的在于检测器件封装腔体内存在的自由粒子，是一种非破坏性实验. 用来测试电器零件从而提高电器零件的可靠性。

适用范围:

用于检测集成电路、晶体管、电容器、航空/航天/军事领域的继电器等电子元器件封装内的多余物松散颗粒.

PIND 技术参数：

振动规格：

频率范围：25 至 250Hz，正弦曲线

其他振动模式：随机极限，75 至 400Hz 平坦频率

自动阶型频率，40 至 250Hz

低频率程序：**振幅保护随频率变化

频率分辨率:1Hz

时间 :每个程序 0.1 至 25.5 秒

时间程序分辨率:0.1 秒

振幅:0.1 至 25.50’G’峰值，4 位数显

振幅程序分辨率:0.1’G’

重复性:0.5’G’峰值，带反馈控制

D.U.T.载荷:** 350g(整个范围)

** 400g 在 60Hz

冲击规格：

方法:冲击台反馈控制

自适应 D.U.T.载荷冲击

振幅:100 至 2500’G’可编程

程序分辨率:10’G’

重复性:50’G’内

脉冲宽度:<100 微秒在 50%振幅下

典型的是 150-200 微秒在 10%振幅下

冲击延迟:冲击脉冲下降沿时间，从 25 至 250 微秒

D.U.T.载荷:振幅随负载轻微下降

**能力 500 克在 1000g 振幅下

(可能需要改变程序值来加大载荷)

**载荷规格

振动台极限:800 克

振动极限:400 克 W/传感器

冲击极限:500 克（可能需要增加程序值）

电气规格

电源:100，120，220，240VAC+/-10% at 50 or 60 Hz 可选

功耗:** 300 瓦

额定功率放大:**动态加载 100w RMS

声波检测电路:60dB 增益+/- 2 dB

100-200KHz 带宽

极值:两点极值开关，出厂设定

输出：

加速度显示:16 位 LED

频率显示:16 位 LED

极值交替指示:一个冲击检测 LED

一个故障显示 LED

冲击值显示:16 位 LED

示波器:10V，峰值

声音:4w 内部扬声器

*小输出:10V，峰值

冲击传感器规格:

灵敏度:-77.5 dB +/- 3 dB re 1V per 微巴 at 155 kHz

按 ANSI2.1-1988 测量

电缆: 整体 3 通道全屏蔽柔性电缆

电磁干扰保护:所有电缆全法拉第屏蔽

传感器

不同型传感器大小不一样

例如:4511M 传感器参数为:

100-4S155-4（传感器）:

压电晶体数量:4 个，每个 0.75 英寸直径检测范围

直径:100mm(4in)

重量:190 克

加速度计规格

灵敏度:2.1 pc/G +/- 10% at 100 Hz

几何位置:装于冲击传感器内

STU 传感器灵敏度:-77.5 dB +/- 3 dB ref 1V per

Microbar at 155 kHz

按 ANSI2.1-1988 测量

外部 STU 脉冲器输出:250 微伏+/- 20%

物理特性（几何外形尺寸）

控制器:13cmX43cmX47cm(5.25X17.0X18.5in)

示波器:13cmX22cmx46cm (5.25X8.5X18in)

M230 振动台:10cm High X 18cm Dia (4 X 7 in)

PIND 检测技术原理

颗粒碰撞噪声检测（ Particle Impact Noise Detection，PIND）试验是一种多余物检验的有效手段.其原理是利用振动台产生一系列指定的机械冲

击和振动，通过冲击使被束缚在产品中的颗粒（即多余物）松动，再通过一定频率的振动，使多余物在系统内产生位移。活动多余物在产品中发生位移

的过程，是多余物相对产品壳体的滑动过程和撞击过程的一个随机组合过程。

在这个过程中，将产生应力弹性波和声波。两种波在产品壳体中传播，并形成混响信号，这个混响信号被定义为位移信号。采用压电传感器拾取到位移信号后，经前置放大器放大后，位移信号由检测装置的主机采集、处理并显示。检测人员可以依据显示的信号波形判定出信号性质，以此得出检测结论.

如图:一个小的金属薄片将对电子元件造成严重的事故

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