国内高端粉末式原子层沉积系统 GM系列

原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。

产品描述

厦门韫茂科技公司的GM系列自动粉末原子层沉积设备它可以在微纳米粉体上实现均匀可控的原子层沉积或分子层沉积生长，GM1000的反应室可自动运行ALD(原子层沉积)或MLD(分子层沉积)，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有**粉末样品桶、动态粉末流化机构、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料研究与应用的**研发工具。

主要技术参数

G100 Powder ALD 技术参数 Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制备）
样品**装载量 Capacity	100g(可根据需求定制, 也可放置3D基体及多片平片
样品反应温度 Heating	RT-300℃
前驱体 Max Precursor	**可包括2组反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors
前驱体加热**温度 Max Precursor Heating	RT-200℃
包覆均一性 Uniformity	<3%
成膜速率 Deposition Rate	1-2A/Cycle (Al2O3)
臭氧发生器Ozone Generator	可选配，生产效率15g/h
人机界面 HMI	全自动化人机操作界面
安全Safety	工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

G1000 Powder ALD 技术参数 Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制备）
样品**装载量 Capacity	1000g(可根据需求定制, 也可放置3D基体及多片平片
样品反应温度 Heating	RT-300℃
前驱体 Max Precursor	**可包括2组反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors
前驱体加热**温度 Max Precursor Heating	RT-300℃
包覆均一性 Uniformity	<3%
成膜速率 Deposition Rate	1-2A/Cycle (Al2O3)
臭氧发生器Ozone Generator	可选配，生产效率15g/h
人机界面 HMI	全自动化人机操作界面
安全Safety	工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO