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介绍：碳化硅（SiC）外延P型是通过在SiC衬底上生长掺杂受主杂质（如铝或硼）的外延层实现的，具有宽禁带、高导热性和高击穿电场等特性。
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应用：应用于功率电子（高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动）、高温器件、IGBT（电动汽车和电力系统）、BJT（高功率放大和开关应用）和射频器件（5G基站和雷达）等领域有广泛应用，特别适合高功率、高频和高温环境。
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碳化硅P型外延衬底（2~8inch） | ||||
衬底直径 | 2英寸-50.8mm | 4英寸-100mm | 6英寸-150mm | 8英寸-200mm |
碳化硅衬底厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | 500μm |
碳化硅衬底晶向 | Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5° | |||
碳化硅衬底电阻率 | 0.014～0.028 Ω•cm | |||
外延导电类型 | P-type | |||
掺杂元素 | Al-doping | |||
外延层厚度 | ＜5 um | |||
外延层厚度均匀性 | ≤6% | |||
外延层表面 | RMS＜1nm | |||
外延结构图 |
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