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介绍：化学式(α-Al2O3)，为六方晶格结构。化学性质非常稳定，不溶于水，耐强酸、强碱的腐蚀。莫氏硬度9级，熔点为2050℃，沸点3500℃，**工作温度可达1900℃。透光性好，热传导性和电气绝缘性，力学机械性能表现优秀，具有耐磨和抗划伤的特点。
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应用：LED（氮化镓基LED）、激光二极管（蓝光、紫外）、射频器件（5G通信、雷达）、功率电子器件（电动汽车、工业电源）。
产品规格书
蓝宝石常规C向单晶衬底（1~12英寸） | ||||||||
材料成分 | >99.99%，High Purity， Mono-crystalline Al2O3 (KY) | |||||||
直径 | 25.4mm | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 125mm | 150mm | 200mm | 300mm |
厚度 | 500μm | 430μm | 500μm | 650μm | 800μm | 1000μm | 1200μm | 2000μm |
端面晶向 | C-plane（0001） off-angle toward M-axis（10-10） 0.2 +/- 0.1° | 0 ± 0.5° | ||||||
C-plane（0001） off-angle toward A-axis（11-20） 0 +/- 0.1° | 0 ± 0.5° | |||||||
定位边晶向 | A-Plane（11-20） ± 1.0° | |||||||
定位边长度 | 8mm | 16mm | 22mm | 30mm | 30mm | 47.5mm | Notch | Notch |
正面状态 | Epi-polished,Ra<0.3nm | Epi-polished,Ra<0.5nm | ||||||
反面状态 | SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm | DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm | ||||||
镭刻码面 | Back side | N/A | ||||||
总厚度偏差TTV | ≤5μm | ≤8μm | ≤10μm | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm |
弯曲度BOW | ≤8μm | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤45μm |
翘曲度WARP | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm | ≤60μm | ≤60μm |
边缘去除 | ≤2 mm | ≤3 mm | ||||||
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产品性能表
蓝宝石单晶 Sapphire | |
晶体结构 | 六方晶体 |
禁带宽度(eV) | / |
熔点（℃） | 2040℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 0.46W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | 6.7*10-6 // C-axis |
晶格常数(nm) | a=4.76Å c=12.99Å |
折射率 | 1.762~1.777 |
透过率 | 测试样品：蓝宝石：直径76.2毫米×厚度4毫米 |
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