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检测和分析 Si℃ 外延中的表面缺陷和晶体缺陷品牌
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检测和分析 Si℃ 外延中的表面缺陷和晶体缺陷
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技术参数:
1)微分干涉镜头:532 nm波段光源
2)暗场镜头:457nm波段光源
3)PL镜头:313波段光源
4)PLX镜头:355波段光源
5)自动聚焦测量范围:+1.5mm
6)XYZ平台:移动范围550*400*5(XYZ)，重复定位精度0.1um，测量精度:±0.5um
7)重复性:CV<5%
8)致命缺陷测试准确性:>95%
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