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氮化镓 (GaN)
氮化镓 (GaN)

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型号

N 型(硅掺)自支撑氮化镓

品牌

产地

江苏

样本

暂无
江阴皓睿光电新材料有限公司

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第2年

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其它无机材料

N 型(硅掺)自支撑氮化镓

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氮化镓(GaN)半导体禁带宽度大、导热率高,GaN器件可在200℃以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高;较大禁带宽度和绝缘破坏电场,使得器件导通电阻减少,有利与提升器件整体的能效;电子饱和速度快,以及较高的载流子迁移率,可让器件高速地工作。


  

常用规格:

N 型(硅掺)自支撑氮化镓

尺寸10*10mm  |  2英寸直径50.8mm  |  4英寸直径100mm

晶向(0001) Ga face

电阻率 ≤ 0.05 ohm.cm

抛光双面抛光

 

N 型(非掺)自支撑氮化镓

尺寸10*10mm  |  2英寸直径50.8mm  |  4英寸直径100mm

晶向(0001) Ga face

电阻率 ≤ 0.5 ohm.cm

抛光:单面抛光  |  双面抛光


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