6英寸快速退火炉RTP

LH-RTA-E特点:E系列半自动快速退火炉，软件控制取放片，适用于**6英寸(150mm*150mm)及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于，磷化铟，砷化镓，碳化硅，氮化镓等各类衬底和外延片)，拥有出色的热源和结构设计。

设备主要规格(Features):

1.**6英寸 Wafer(单腔体**满足150mm*150mm材料进行加热处理);2.冷却方式包括水冷和氮气吹扫(循环常温水冷却，软件可视化监控管理，防止外壁过热，内置氮气管路，吹扫腔体，保持清洁，极速降温);

3.MFC控制，1-5路制程气体。(品牌MFC控制器，内置多路气氛管路，可定制开通，满足各类测试工艺需求);4.退火温度范围 300℃-1000℃(常规硅基材料温度适用于850℃，第三代半导体材料**可到1350℃)5.升温速率 ≤150℃/秒(升温速度随不同的材料及装置会有差异，标准数据是裸片放置内测量后得出，150摄氏度每秒是常规温度速率，加热设备的极限会更高);