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氮化铝是**应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质，如其禁带宽度高达6.2eV，同时具有高击穿场强、高饱和电子迁移率、高化学和热稳定性，及高导热、抗辐射等优异性能，因此氮化铝是紫外/深紫外LED、紫外LD**衬底材料，也是高功率，高电子婴件理想衬底材料。此外，氮化铝具有优良的压电性、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数，是GHz级声表面波器件的优选压电材料。
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