SDI少数载流子寿命监测仪器已经被广泛应用于半导体的研究单位与制造企业。目前在世界范围内已经有超过400台的SDI设备在使用当中，其非接触的检测方式与高精度的检测数据已经在行业内得到广泛的承认。其检测结果快速图形输出的特性，可以使用户简单直观的获得整个晶片的少于载流子寿命及金属污染的数据信息。

技术参数：

可以非接触式地测量硅片内部的少数载流子寿命与扩散长。同时可以定量与定性的量测沉降到硅与二氧化硅内部的铁，铜，钠等游离的金属污染。**金属污染浓度分辨率可以达到1E8的级别。

主要特点：

高金属污染浓度分别率：1E8

可以对整个硅片进行扫描，给出整个硅片的少数载流子寿命与金属污染的具体数据并配合图形

硅片表面有无二氧化硅薄膜不会对测量造成影响

不同型号设备适用于研究院所与生产企业