参考价格
面议型号
半导体表面缺陷观察Phenom Pharos G2品牌
飞纳产地
荷兰样本
暂无探测器：
背散射探测器、二次电子探测器加速电压：
基本模式 2 kV、5 kV、10 kV、15 kV、20 kV电子枪：
CeB6 灯丝，使用寿命优于 3000 小时电子光学放大：
2,000,000 X光学放大：
27 - 160 X分辨率：
优于 1.5 nm复纳科技扫描电镜
复纳科技 半导体表面缺陷观察Phenom Pharos G2
国产扫描电镜
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Phenom Pharos G2 是飞纳推出的台式场发射扫描电镜，针对半导体、电子材料及微纳器件分析需求设计，可用于芯片表面形貌观察、封装材料检测以及微小缺陷区域分析。
在半导体制造和研发过程中，材料表面状态、微观结构变化以及局部缺陷会影响器件性能。Phenom Pharos G2 可提供高分辨率扫描电镜图像，帮助用户观察晶粒结构、表面形貌、污染颗粒及异常区域，为工艺优化和失效分析提供微观依据。
设备采用肖特基热场发射电子枪，电子光学放大倍数**可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，可满足半导体材料、封装结构及微纳尺度特征的高分辨观察需求。
Phenom Pharos G2 支持低、中、高三种真空模式，配备背散射探测器和二次电子探测器，并可选配能谱探测器，实现样品形貌观察与元素成分分析。台式化设计方便部署于科研实验室、企业研发中心及质量检测部门。
采用肖特基热场发射电子枪，可提供稳定电子束，用于半导体材料表面细节、微小缺陷及纳米尺度结构的高分辨成像。
电子光学放大倍数**可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，可用于观察半导体器件表面细微结构及局部异常区域。
支持 1 kV - 20 kV 连续可调，可根据样品类型、观察目标及成像需求选择合适测试条件。
支持低真空、中真空和高真空三种工作模式，可满足不同半导体材料、封装材料及电子元器件样品的检测需求。
标配背散射探测器和二次电子探测器，可选配能谱探测器，用于缺陷形貌观察、材料区分及元素组成分析。
设备结构紧凑，可部署于高校实验室、科研机构、半导体企业研发部门及检测实验室，满足日常分析需求。
Phenom Pharos G2 可应用于以下领域：
半导体芯片表面缺陷观察
集成电路及电子元器件分析
封装材料微观结构检测
半导体污染物及异物分析
电子材料研发
器件失效分析
工艺质量控制
微纳结构研究
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 产品型号 | Phenom Pharos G2 |
| 产品全称 | Pharos 台式场发射电镜 |
| 产品类型 | 台式场发射扫描电镜 |
| 光学放大 | 27 - 160 X |
| 电子光学放大 | 2,000,000 X |
| 分辨率 | 优于 1.5 nm |
| 电子枪 | 肖特基热场发射电子枪 |
| 光学导航相机 | 彩色 |
| 加速电压 | 1 kV - 20 kV 连续可调 |
| 真空模式 | 低 / 中 / 高三种模式 |
| 探测器 | 背散射探测器、二次电子探测器 |
| 可选探测器 | 能谱探测器 |
设备适用于半导体材料、芯片表面、封装结构以及电子元器件的微观形貌分析，可用于观察表面缺陷、颗粒污染、材料结构变化等。
支持。设备可选配能谱探测器（EDS），用于对颗粒、污染物、异常区域及局部结构进行元素组成分析。
除半导体材料外，Phenom Pharos G2 还适用于纳米材料、碳材料、催化剂、陶瓷、锂电材料、光伏材料等高分辨形貌观察场景。
产品价格根据具体配置、探测器组合以及应用需求确定。用户可通过平台询价入口提交样品信息和测试需求，获取相应配置建议。
如需了解 Phenom Pharos G2 在半导体表面缺陷观察中的应用方案、测试案例或设备配置，可通过平台留言提交样品类型与分析需求，获取进一步产品信息。
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