参考价格
面议型号
VHCgr-20/20/30-1600品牌
皓越科技产地
上海样本
暂无非金属电热元件:
其他金属电热元件:
其他烧结气氛:
真空温控精度:
-最高温度:
1600℃额定温度:
-皓越科技粉体焙烧炉
皓越科技VHCgr-20/20/30-1600
国产粉体焙烧炉
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一、C2GR16-气相沉积炉基本原理与特点
1.基本原理:
热诱导化学气相沉积(英语:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各种电介质,半导体和金属材料的保护涂层的沉积的有力方式,无论是单晶,多晶,无定形或外延状态上或大或小的形态。典型的涂层材料包括热解碳,碳化硅,氮化硼。通过使用合成前体,涂层非常纯净并目满足半导体工业的典型要求,根据工艺参数,可以有多种层厚度,从单个或几个原子层到厚度从10纳米到数百微米的固体保护层或功能层,以及厚度达100微米的单片部件,甚至高达数毫米。
2.设备特点:
(1)采用卧式、侧开门结构,装、卸料精度高,操作方便;
(2)采用优良的控制技术,能精密控制MTS的流量和压力,炉膛内沉积气流稳定,压力波动范围小;
(3)温度均匀性好,平均温度均匀性为±5℃;
(4)采用多通道沉积气路,流场均匀,无沉积死角,沉积效果好;
(5)全封闭沉积室,密封效果好,抗污染能力强;
(6)安全性能好,采用HMI+PLC+PID程序控制,安全可靠;
(7)对沉积产生的高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物能进行有效处理;
(8)多级高效尾气处理系统,环境友好,能高效收集焦油及副产物,易清理;
(9)采用设计防腐蚀真空机组,持续工作时间长,维修率极低。
二、C2GR16-气相沉积炉主要技术参数:
| 1 | 编号 | C2GR16 |
| 2 | 产品型号 | VHCgr-20/20/30-1600 |
| 3 | **设计温度(℃) | 1600 |
| 4 | 加热元件 | 等静压石墨 |
| 5 | 加热功率(kW) | 45 |
| 6 | 冷态极限真空度(Pa) | 6.7x10-3Pa(空炉、冷态、经净化) |
| 7 | 测温元件 | 钨铼热电偶 |
| 8 | 升温速率 | 1~20℃/min |
| 9 | 温度均匀性 | ±5℃(5点测温,恒温区1000℃保温1h后检测) |
| 10 | 炉膛尺寸(mm) | 200x200x300(WxHxD) |
| 11 | 可通入气氛 | 1路CH3SiCI3、1路氨气、1路氢气、1路氮气 |
| 12 | 气氛流量计 | 4路质量流量计 |
| 13 | 设备外形尺寸(mm) | 1425x1550x1850mm(LxWxH) |
三、化学气相沉积炉(CVD气相沉积炉)产品展示图:

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