• 在Si面具有较好的去除率表现
• 抛光后表面缺陷较少，Si面粗糙度≤0.06nm
• 使用时将A液与B液混合，加入定量的双氧水，循环使用

• 采用纳米级氧化硅磨料，抛光后表面无划伤，良品率高
• 出色的Si面抛光速率，是一般氧化硅抛光液的3倍以上

• 采用较软的氧化硅作为磨料
• 表面质量较好
• pH值为10左右，对设备腐蚀较小

COPOL-233

COPOL-235

COPOL-236

• 具有良好的去除率表现
• 抛光后表面无划伤，良品率高
• 可循环使用，产品使用寿命长

• 采用150nm级氧化铝磨料，酸性氧化铝抛光液
• 具有较高的抛光速率
• 抛光后表面无划伤，良品率高
• 产品对抛光垫的腐蚀损耗较小

• 采用150nm级氧化铝磨料，碱性氧化铝抛光液
• 抛光后表面无划伤，良品率高
• 抛光速率高且稳定，循环使用寿命长
• 产品对抛光垫的腐蚀损耗较小

COPOL-431

COPOL-432

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• 具有较高的抛光速率
• 抛光后粗糙度较低，Si面 Ra≤0.08nm
• 抛光后表面无划伤，良品率高
• 建议使用前pH调至2

• 具有较高的抛光速率
• 抛光后粗糙度较低，Si面 Ra≤0.08nm
• 抛光后表面无划伤，良品率高
• 建议使用前pH调至2