晶澳团队率先突破 SiC 龙头企业减薄设备技术，打破海外垄断。凭借 “技术销售双轮驱动”，把工艺经验转化为 “设备调试 + 参数优化” 一体化方案。通过全生命周期服务（覆盖设备选型、工艺验证、数据驱动良率提升）和24小时快速响应体系，赢得市场、客户认可。团队凭借多语言优势紧跟国际技术，并通过“设备+专用耗材”生态链整合，持续巩固在第三代半导体装备领域的**地位。

目前设备加工能力TTV约2um, WTW±1um, 损伤层2.5um, 并将持续优化提升。 晶澳科技，未来可期！

• 配置双研磨主轴（粗/精可选），双磨削卡盘工位；
  

• 采用Infeed研磨法，配备IPG厚度测量，可在测量加工过程中晶圆的厚度；

• 为了应对8寸SIC，砂轮主轴配置11Kw高输出主轴电机；

• 配备wafer前置/后置背面清洗；

• 标配Φ250粗/精磨砂轮砥石。