产品参数

产品名称:氮化

熔点:3090°C

电阻率:128uO.cm

CA S号:12033-62-4

分子式:TaN

密 度:13.4 (g/cm3)

热导率:9.54W/(m.K)

分子量:194.95500

应用领域

1.用来制造片状电阻的材料，氮化担电阻则可抵抗水汽的侵蚀。在制造集成电路的过程中，这些膜沉积在硅晶片的顶部，以形成薄膜表面贴装电阻。用来制造片状电阻的材料，氮化担电阻则可抵抗水汽的侵蚀。氮化担材料被用于制作芯片导线的保护层。

2.用作超硬质材料添加剂，可制备纯的五氯化担:用于喷涂，增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。

溶解性

不溶于水、酸，微溶于王水，溶于氢氧化钾并分解释放出氨，加热至2000°C即释放出氮气。

制备方法

1.将金属担粉用氮气或氨气在1100°C左右直接氮化制得。2.以金属担和氮气为原料制备氮化担，反应式如下:2Ta+N2=2TaN将金属担粉用氮气或氮气在1100°C左右直接氮化制得。

包装储存

本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供，分装。