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丰汇纳米TaN
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应用领域
1.用来制造片状电阻的材料,氮化担电阻则可抵抗水汽的侵蚀。在制造集成电路的过程中,这些膜沉积在硅晶片的顶部,以形成薄膜表面贴装电阻。用来制造片状电阻的材料,氮化担电阻则可抵抗水汽的侵蚀。氮化担材料被用于制作芯片导线的保护层。
2.用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化担:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。
溶解性
不溶于水、酸,微溶于王水,溶于氢氧化钾并分解释放出氨,加热至2000°C即释放出氮气。
制备方法
1.将金属担粉用氮气或氨气在1100°C左右直接氮化制得。2.以金属担和氮气为原料制备氮化担,反应式如下:2Ta+N2=2TaN将金属担粉用氮气或氮气在1100°C左右直接氮化制得。
包装储存
本品为充惰气塑料袋包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。

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